YQ10RSM10SDTFTL1 ROHM Semiconductor
Виробник: ROHM Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF
Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF
на замовлення 7698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.65 грн |
10+ | 90.6 грн |
100+ | 55.43 грн |
500+ | 50.89 грн |
1000+ | 47.05 грн |
4000+ | 46.98 грн |
8000+ | 38.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ10RSM10SDTFTL1 ROHM Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A,, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-277A, Operating Temperature - Junction: 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції YQ10RSM10SDTFTL1 за ціною від 33.04 грн до 149.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YQ10RSM10SDTFTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
YQ10RSM10SDTFTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor | Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
YQ10RSM10SDTFTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor | Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
YQ10RSM10SDTFTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor | Diode Schottky 100V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277A T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
YQ10RSM10SDTFTL1 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 10A, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-277A Operating Temperature - Junction: 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |