XPQ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - XPQ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 800 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: L-TOGL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 7329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 186.55 грн |
| 500+ | 150.69 грн |
| 1000+ | 119.6 грн |
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Технічний опис XPQ1R004PB,LXHQ(O TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPQ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 800 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: L-TOGL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: U-MOSIX-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).
Інші пропозиції XPQ1R004PB,LXHQ(O за ціною від 119.6 грн до 319.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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XPQ1R004PB,LXHQ(O | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - XPQ1R004PB,LXHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 800 µohm, L-TOGL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: L-TOGL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: U-MOSIX-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) |
на замовлення 7329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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