на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 167.01 грн |
| 10+ | 137.32 грн |
| 100+ | 94.23 грн |
| 250+ | 87.04 грн |
| 500+ | 79.13 грн |
| 1000+ | 67.55 грн |
| 1500+ | 64.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPJ1R004PB,LXHQ Toshiba
Description: 40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 223W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA, Supplier Device Package: S-TOGL™, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції XPJ1R004PB,LXHQ за ціною від 74.49 грн до 220.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XPJ1R004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGLPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: S-TOGL™ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| XPJ1R004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 40V; UMOS9; MOSFET 1MOHM; L-TOGL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 500µA Supplier Device Package: S-TOGL™ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6890 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|