Продукція > TOSHIBA > XPH6R30ANB,L1XHQ
XPH6R30ANB,L1XHQ

XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba

XPH6R30ANB_datasheet_en_20200624-1915303.pdf Виробник: Toshiba
MOSFETs PD=132W F=1MHZ AEC-Q101
на замовлення 14773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.78 грн
10+ 78.92 грн
100+ 52.8 грн
250+ 52.31 грн
500+ 51.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba

Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XPH6R30ANB,L1XHQ за ціною від 49.67 грн до 122.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 8944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.07 грн
10+ 97.51 грн
100+ 77.6 грн
500+ 61.62 грн
1000+ 52.29 грн
2000+ 49.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPH6R30ANB,L1XHQ XPH6R30ANB,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=68578&prodName=XPH6R30ANB Description: MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
товару немає в наявності