Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > XPH4R714MC,L1XHQ
XPH4R714MC,L1XHQ

XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

XPH4R714MC_datasheet_en_20211202.pdf?did=66018&prodName=XPH4R714MC Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPH4R714MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V.

Інші пропозиції XPH4R714MC,L1XHQ за ціною від 45.04 грн до 123.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ Виробник : Toshiba XPH4R714MC_datasheet_en_20211202-1915249.pdf MOSFET 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.26 грн
10+ 92.95 грн
100+ 70.99 грн
250+ 70.29 грн
500+ 60.23 грн
1000+ 48.57 грн
5000+ 48.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage XPH4R714MC_datasheet_en_20211202.pdf?did=66018&prodName=XPH4R714MC Description: MOSFET P-CH 40V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 10 V
на замовлення 37786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.93 грн
10+ 76.58 грн
100+ 52.38 грн
500+ 45.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
XPH4R714MC,L1XHQ XPH4R714MC,L1XHQ Виробник : Toshiba xph4r714mc_datasheet_en_20211202.pdf Trans MOSFET P-CH Si 40V 60A Automotive 8-Pin SOP Advance(WF) T/R
товар відсутній