![XP234N0801TR-G XP234N0801TR-G](https://www.mouser.com/images/torex/lrg/SOT-23_t.jpg)
XP234N0801TR-G Torex Semiconductor
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.7 грн |
18+ | 18.11 грн |
100+ | 8.92 грн |
1000+ | 5.78 грн |
3000+ | 3.9 грн |
9000+ | 3.14 грн |
24000+ | 2.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP234N0801TR-G Torex Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.8A; Idm: 1.6A; 0.4W; SOT23-3, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.8A, Pulsed drain current: 1.6A, Power dissipation: 0.4W, Case: SOT23-3, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.4Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції XP234N0801TR-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
XP234N0801TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
XP234N0801TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
XP234N0801TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
![]() |
XP234N0801TR-G | Виробник : TOREX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.8A; Idm: 1.6A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 1.6A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|
![]() |
XP234N0801TR-G | Виробник : TOREX |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.8A; Idm: 1.6A; 0.4W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.8A Pulsed drain current: 1.6A Power dissipation: 0.4W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |