Продукція > TOREX > XP234N08013R-G
XP234N08013R-G

XP234N08013R-G TOREX

3155514.pdf Виробник: TOREX
Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 350mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5 грн
1000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP234N08013R-G TOREX

Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 350mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-323-3A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP234N0801xx-G, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції XP234N08013R-G за ціною від 2.67 грн до 34.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XP234N08013R-G XP234N08013R-G Виробник : TOREX 3155514.pdf Description: TOREX - XP234N08013R-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 800 mA, 0.2 ohm, SOT-323-3A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-323-3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP234N0801xx-G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+22.93 грн
52+ 15.05 грн
103+ 7.64 грн
500+ 5 грн
1000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 35
XP234N08013R-G XP234N08013R-G Виробник : Torex Semiconductor TOSL_S_A0010841514_1-2575007.pdf MOSFET N-CHANNEL 30V 0.8A
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+34.71 грн
14+ 22.87 грн
100+ 11.26 грн
1000+ 6.54 грн
3000+ 4.59 грн
9000+ 3.96 грн
24000+ 3.68 грн
Мінімальне замовлення: 10
XP234N08013R-G XP234N08013R-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
XP234N08013R-G XP234N08013R-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP234N08013R.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3
товар відсутній