XP231N0201TR-G Torex Semiconductor Ltd
Виробник: Torex Semiconductor LtdDescription: MOSFET N-CH 30V 200MA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP231N0201TR-G Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V.
Інші пропозиції XP231N0201TR-G за ціною від 3.99 грн до 26.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP231N0201TR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET N-CH 30V 200MA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6.5 pF @ 10 V |
на замовлення 11275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
XP231N0201TR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET N-CHANNEL 30V 0.2A |
на замовлення 13549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|