XP161A1355PR-G

XP161A1355PR-G Torex Semiconductor Ltd


XP161A1355PR.pdf Виробник: Torex Semiconductor Ltd
Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XP161A1355PR-G Torex Semiconductor Ltd

Description: TOREX - XP161A1355PR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP161, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції XP161A1355PR-G за ціною від 14.98 грн до 59.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XP161A1355PR-G XP161A1355PR-G Виробник : TOREX XP161A1355PR.pdf Description: TOREX - XP161A1355PR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP161
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
XP161A1355PR-G XP161A1355PR-G Виробник : Torex Semiconductor Ltd XP161A1355PR.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4A SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Supplier Device Package: SOT-89
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.23 грн
10+ 37.75 грн
100+ 26.15 грн
500+ 20.51 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP161A1355PR-G XP161A1355PR-G Виробник : Torex Semiconductor xp161a1355pr-3371581.pdf MOSFETs Power MOSFET, 20V, 4A, N-Type, SOT-89
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.66 грн
10+ 42.24 грн
100+ 28.57 грн
500+ 24.39 грн
1000+ 17.77 грн
2000+ 15.82 грн
5000+ 14.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
XP161A1355PR-G XP161A1355PR-G Виробник : TOREX XP161A1355PR.pdf Description: TOREX - XP161A1355PR-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4 A, 0.037 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP161
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.03 грн
18+ 45.5 грн
100+ 32.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
XP161A1355PR-G Виробник : TOREX XP161A1355PR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 16A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
XP161A1355PR-G Виробник : TOREX XP161A1355PR.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4A; Idm: 16A; 2W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній