XP152A11E5MR-G TOREX
Виробник: TOREXDescription: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP152
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 5042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 25.88 грн |
| 500+ | 19.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XP152A11E5MR-G TOREX
Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: XP152, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.2ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції XP152A11E5MR-G за ціною від 11.85 грн до 48.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XP152A11E5MR-G | Виробник : TOREX |
Description: TOREX - XP152A11E5MR-G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 700 mA, 0.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: XP152 productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 5042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP152A11E5MR-G | Виробник : Torex Semiconductor |
MOSFET Power MOSFET, -30V, 0.7A, P-Type, SOT-23 |
на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XP152A11E5MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.7A; Idm: -2.8A; 0.5W Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2.8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -700mA On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
XP152A11E5MR-G | Виробник : Torex Semiconductor Ltd |
Description: MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
XP152A11E5MR-G | Виробник : TOREX |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.7A; Idm: -2.8A; 0.5W Mounting: SMD Case: SOT23-3 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -2.8A Drain-source voltage: -30V Drain current: -700mA On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |