![WNSC6D10650Q WNSC6D10650Q](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO220AC-40.jpg)
WNSC6D10650Q WEEN SEMICONDUCTORS
![WNSC6D10650.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 24nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 183.52 грн |
10+ | 159.25 грн |
100+ | 125.88 грн |
500+ | 104.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC6D10650Q WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC6D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 24 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 24nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції WNSC6D10650Q за ціною від 105.46 грн до 238.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
WNSC6D10650Q | Виробник : Ween |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
WNSC6D10650Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220AC; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220AC Kind of package: tube Max. forward impulse current: 75A |
товар відсутній |