WNSC2D501200W6Q WeEn Semiconductors
![WNSC2D501200W6Q.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. load current: 100A
Max. forward voltage: 2.5V
Load current: 50A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D501200W6Q WeEn Semiconductors
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube, Mounting: THT, Case: TO247-2, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. load current: 100A, Max. forward voltage: 2.5V, Load current: 50A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 420A, Kind of package: tube, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WNSC2D501200W6Q
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D501200W6Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
WNSC2D501200W6Q | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 50A; TO247-2; tube Mounting: THT Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 100A Max. forward voltage: 2.5V Load current: 50A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 420A Kind of package: tube |
товар відсутній |