WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors
![WNSC2D30650CW.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 478.99 грн |
30+ | 368.34 грн |
120+ | 329.56 грн |
510+ | 272.9 грн |
1020+ | 245.61 грн |
2010+ | 230.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SIC 650V 30A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, Operating Temperature - Junction: 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D30650CWQ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D30650CWQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |