![WNSC2D201200WQ WNSC2D201200WQ](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO247AD-40.jpg)
WNSC2D201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS
![3204995.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 496 грн |
5+ | 446.4 грн |
10+ | 380.8 грн |
50+ | 317.2 грн |
100+ | 267.43 грн |
250+ | 248.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D201200WQ WEEN SEMICONDUCTORS
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 39nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції WNSC2D201200WQ за ціною від 303.49 грн до 592.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WNSC2D201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
WNSC2D201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Mounting: THT Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tube кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
WNSC2D201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
WNSC2D201200WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube Mounting: THT Case: TO247-2 Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 2.1V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tube |
товар відсутній |