![WNSC2D10650WQ WNSC2D10650WQ](https://www.mouser.com/images/weensemiconductors/lrg/TO-247_SOD142._SPL.jpg)
WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors
![WNSC2D10650W-2902707.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.18 грн |
10+ | 168.93 грн |
100+ | 118.78 грн |
250+ | 112.46 грн |
600+ | 106.13 грн |
1200+ | 89.97 грн |
3000+ | 85.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WNSC2D10650WQ WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Інші пропозиції WNSC2D10650WQ за ціною від 89.91 грн до 265.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
WNSC2D10650WQ | Виробник : WeEn Semiconductors |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|