Продукція > WAYON > WMO11N65SR

WMO11N65SR WAYON


Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMO11N65SR WAYON

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: WMOS™ SR, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 5.4A, Pulsed drain current: 19A, Power dissipation: 63W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.6Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 13.7nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMO11N65SR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMO11N65SR Виробник : WAYON Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ SR; unipolar; 650V; 5.4A; Idm: 19A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ SR
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.4A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 63W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній