Продукція > WAYON > WMAA2N100D1
WMAA2N100D1

WMAA2N100D1 WAYON

Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance: 6.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: THT
Case: TO251
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+41 грн
14+ 26.94 грн
25+ 21.52 грн
71+ 12.15 грн
194+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис WMAA2N100D1 WAYON

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, On-state resistance: 6.3Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 60W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 18nC, Technology: WMOS™ D1, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 8A, Mounting: THT, Case: TO251, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції WMAA2N100D1 за ціною від 13.27 грн до 49.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
WMAA2N100D1 WMAA2N100D1 Виробник : WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance: 6.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: THT
Case: TO251
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 561 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+49.2 грн
10+ 33.57 грн
25+ 25.83 грн
71+ 14.58 грн
194+ 13.79 грн
3000+ 13.27 грн
Мінімальне замовлення: 6