![WMAA2N100D1 WMAA2N100D1](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/9D/1A/F0/00/0/1024473_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=a10680edcae9fdeb8158fca1ee7c2c7dd2e3e2d2)
WMAA2N100D1 WAYON
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance: 6.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: THT
Case: TO251
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
On-state resistance: 6.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 60W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 18nC
Technology: WMOS™ D1
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: THT
Case: TO251
на замовлення 561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 41 грн |
14+ | 26.94 грн |
25+ | 21.52 грн |
71+ | 12.15 грн |
194+ | 11.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис WMAA2N100D1 WAYON
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 2A, On-state resistance: 6.3Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 60W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 18nC, Technology: WMOS™ D1, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 8A, Mounting: THT, Case: TO251, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції WMAA2N100D1 за ціною від 13.27 грн до 49.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
WMAA2N100D1 | Виробник : WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A On-state resistance: 6.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 60W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 18nC Technology: WMOS™ D1 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 8A Mounting: THT Case: TO251 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 561 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|