на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4853.19 грн |
| 10+ | 4494.53 грн |
| 20+ | 3782.15 грн |
| 50+ | 3656.01 грн |
| 100+ | 3504.78 грн |
| 200+ | 3353.55 грн |
| 500+ | 3246.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VUM33-06PH IXYS
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors, Polarisation: unipolar, Electrical mounting: FASTON connectors, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Gate charge: 165nC, Gate-source voltage: ±20V, Topology: boost chopper; single-phase diode bridge, Case: V1-B-Pack, Semiconductor structure: diode/transistor, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 50A, On-state resistance: 0.12Ω, Power dissipation: 500W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції VUM33-06PH за ціною від 3911.42 грн до 4468.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
 Description: MODULE MOSFET BRIDGE RECT V1-BPackaging: Box Package / Case: 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Diode Type: Single Phase (PFC Module) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 106 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.39 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
VUM33-06PH Код товару: 193869 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||
| VUM33-06PH | Виробник : Littelfuse |
Bridge Rectifier Module for Power Factor Correction |
товар відсутній |
||||||||
 |
VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Electrical mounting: FASTON connectors Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 165nC Gate-source voltage: ±20V Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Case: V1-B-Pack Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 500W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||
|
|
VUM33-06PH | Виробник : IXYS |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; diode/transistor; 600V; 50A; V1-B-Pack; FASTON connectors Polarisation: unipolar Electrical mounting: FASTON connectors Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Gate charge: 165nC Gate-source voltage: ±20V Topology: boost chopper; single-phase diode bridge Case: V1-B-Pack Semiconductor structure: diode/transistor Drain-source voltage: 600V Drain current: 50A On-state resistance: 0.12Ω Power dissipation: 500W |
товар відсутній |