VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.07 грн |
13+ | 26.13 грн |
100+ | 13.59 грн |
500+ | 12.61 грн |
1000+ | 8.64 грн |
2500+ | 8.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSB410S-M3/5BT Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VSSB410S-M3/5BT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VSSB410S-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.9A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V |
товар відсутній |