![VSSB410S-E3/52T VSSB410S-E3/52T](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1232/112;DO214AA,SMB;;2.jpg)
VSSB410S-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![packaging.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1.9A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V
на замовлення 17250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
750+ | 14.13 грн |
1500+ | 11.06 грн |
2250+ | 9.88 грн |
5250+ | 8.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSSB410S-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1.9A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VSSB410S-E3/52T за ціною від 9.27 грн до 30.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VSSB410S-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 230pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1.9A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 100 V |
на замовлення 18263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VSSB410S-E3/52T | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 73372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VSSB410S-E3/52T | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
VSSB410S-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 4A; SMB; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 230pF Max. forward voltage: 0.77V Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A |
на замовлення 593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VSSB410S-E3/52T | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 100V; 4A; SMB; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Capacitance: 230pF Max. forward voltage: 0.77V Case: SMB Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 593 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|