![VSS8D5M10-M3/I VSS8D5M10-M3/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/431/112%7ESlimSMAW-%28DO221AD%29%7E%7E2-Bottom-View.jpg)
VSS8D5M10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vss8d5m10.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE SCHOTT 100V 2.3A SLIMSMAW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2.3A
Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 100 V
на замовлення 11555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.89 грн |
13+ | 23.65 грн |
100+ | 16.42 грн |
500+ | 12.03 грн |
1000+ | 9.78 грн |
2000+ | 8.74 грн |
5000+ | 8.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VSS8D5M10-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTT 100V 2.3A SLIMSMAW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2.3A, Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VSS8D5M10-M3/I
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VSS8D5M10-M3/I | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
VSS8D5M10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.3A Supplier Device Package: SlimSMAW (DO-221AD) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 580 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 400 µA @ 100 V |
товар відсутній |
|
![]() |
VSS8D5M10-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |