VS-GT90DA120U Vishay Semiconductors
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2876.62 грн |
| 10+ | 2526.97 грн |
| 100+ | 1929.06 грн |
| 480+ | 1747.16 грн |
| 1120+ | 1737.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT90DA120U Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 169A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 781W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції VS-GT90DA120U за ціною від 1982.59 грн до 3113.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT90DA120U | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-GT90DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 169 A, 781 W, 150 °C, SOT-227tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 169A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 781W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| VS-GT90DA120U | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + A Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 169 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 781 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| VS-GT90DA120U | Виробник : Vishay |
Modules IGBT - SOT-227 IGBT |
товар відсутній |
||||||||||||
| VS-GT90DA120U | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 106A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| VS-GT90DA120U | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 106A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |