VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors


vs-gt300yh120n.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT
на замовлення 10 шт:

термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13671.69 грн
12+ 12981.09 грн
24+ 10976.38 грн
60+ 10973.59 грн
108+ 10902.51 грн
252+ 10894.14 грн
504+ 10885.78 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT300YH120N Vishay Semiconductors

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 300A, Case: Dual INT-A-Pak, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 720A, Technology: Trench, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції VS-GT300YH120N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-GT300YH120N Виробник : Vishay vs-gt300yh120n.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 400A 1250000mW 11-Pin Double INT-A-PAK
товар відсутній
VS-GT300YH120N Виробник : VISHAY vs-gt300yh120n.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VS-GT300YH120N Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-gt300yh120n.pdf Description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK
товар відсутній
VS-GT300YH120N Виробник : VISHAY vs-gt300yh120n.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 300A
Case: Dual INT-A-Pak
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 720A
Technology: Trench
Mechanical mounting: screw
товар відсутній