VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 281A 1087W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 281 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1087 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3171.22 грн |
| 10+ | 2721.45 грн |
| 100+ | 2388.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT180DA120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 281A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): -, Verlustleistung Pd: 1.087kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.087kW, Bauform - Transistor: SOT-227, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 281A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції VS-GT180DA120U за ціною від 2533.1 грн до 3457.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT180DA120U | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 281A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
VS-GT180DA120U | Виробник : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| VS-GT180DA120U | Виробник : Vishay |
Insulated Gate Bipolar Module Transistor |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
VS-GT180DA120U | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 185A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 390A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
VS-GT180DA120U | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 185A; SOT227B Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 185A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 390A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |