VS-GT100TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division


Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4)
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: Trench
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 417 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V
на замовлення 22 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5358.52 грн
10+ 4676.14 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GT100TP60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: IGBT MOD 600V 160A INT-A-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4), Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK, IGBT Type: Trench, Part Status: Last Time Buy, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 417 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V.

Інші пропозиції VS-GT100TP60N

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-GT100TP60N Виробник : Vishay Semiconductors IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT
товар відсутній