VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-eth0806m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
на замовлення 4553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.13 грн |
10+ | 57.57 грн |
100+ | 44.77 грн |
500+ | 35.61 грн |
1000+ | 29.01 грн |
2000+ | 27.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-ETH0806-M3 за ціною від 29.2 грн до 80.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-ETH0806-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-ETH0806-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
VS-ETH0806-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
VS-ETH0806-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |