VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 650V 201A 600W
Packaging: Box
Package / Case: Module
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 201 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5220.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETF150Y65N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 650V 201A 600W, Packaging: Box, Package / Case: Module, Input: Standard, Configuration: Half Bridge Inverter, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: NPT, Current - Collector (Ic) (Max): 201 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 600 W.
Інші пропозиції VS-ETF150Y65N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETF150Y65N | Виробник : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 650V Vces 150A Ic 3 Levels Half-Bridge |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |