VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 111.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF12STR-M3 за ціною від 102.89 грн до 246.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 6575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching Si 1.2KV 8A 270ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching Si 1.2KV 8A 270ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| VS-8EWF12STR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK Mounting: SMD Case: DPAK Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated |
товар відсутній |