VS-8EWF12SLHM3 Vishay
на замовлення 878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 60.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF12SLHM3 Vishay
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-8EWF12SLHM3 за ціною від 48.19 грн до 117.6 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 1.2KV 8A 270ns Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK) |
на замовлення 34231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 8A 270ns Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 8A 270ns Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 1.2KV 8A 270ns Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Case: DPAK Application: automotive industry Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-8EWF12SLHM3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Case: DPAK Application: automotive industry Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated |
товар відсутній |