![VS-8EWF12S-M3 VS-8EWF12S-M3](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/41/1D/B0/00/0/774420_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=38bb823a289821995e7862a45fbd926d17b72a21)
VS-8EWF12S-M3 VISHAY
![vs-8ewf12sm.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ir: 4mA
Mounting: SMD
Case: DPAK
Kind of package: tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.3V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Reverse recovery time: 270ns
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 4mA
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.95 грн |
15+ | 58.8 грн |
40+ | 55.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF12S-M3 VISHAY
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF12S-M3 за ціною від 67.08 грн до 246.36 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWF12S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ir: 4mA Mounting: SMD Case: DPAK Kind of package: tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 270ns Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 4mA Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1675 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWF12S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWF12S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWF12S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
VS-8EWF12S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |