VS-8EWF10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.94 грн |
| 75+ | 123.02 грн |
| 150+ | 105.45 грн |
| 525+ | 96.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF10S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції VS-8EWF10S-M3 за ціною від 102.89 грн до 246.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWF10S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 2351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-8EWF10S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; 80ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 150A Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 80ns Max. forward impulse current: 150A Case: DPAK Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
VS-8EWF10S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 8A; 80ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 150A Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 80ns Max. forward impulse current: 150A Case: DPAK Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.3V Load current: 8A |
товар відсутній |