VS-8EWF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.67 грн |
| 75+ | 173.68 грн |
| 150+ | 148.86 грн |
| 525+ | 124.18 грн |
| 1050+ | 106.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF06S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8EWF06S-M3 за ціною від 97.71 грн до 247.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 6815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 4248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
VS-8EWF06S-M3 Код товару: 164120 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching Si 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 3mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
VS-8EWF06S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 3mA Kind of package: tube |
товар відсутній |