![VS-8EWF02S-M3 VS-8EWF02S-M3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/TO-252AA_DSL.jpg)
VS-8EWF02S-M3 Vishay Semiconductors
![vs-8ewf02sm.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
на замовлення 5881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 174 грн |
10+ | 136.25 грн |
100+ | 103.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF02S-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF02S-M3 за ціною від 124.21 грн до 227.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 3mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Reverse recovery time: 200ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 3mA Kind of package: tube |
товар відсутній |