на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 125.86 грн |
10+ | 101.21 грн |
100+ | 68.63 грн |
500+ | 57.77 грн |
1000+ | 48.97 грн |
2000+ | 48.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETH06HN3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-8ETH06HN3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-8ETH06HN3 | Виробник : VISHAY | VS-8ETH06HN3 THT universal diodes |
товару немає в наявності |
||
VS-8ETH06HN3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |