![VS-8ETH03S-M3 VS-8ETH03S-M3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/TO_263_3_t.jpg)
VS-8ETH03S-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 7813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 52.2 грн |
10+ | 48.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETH03S-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V.
Інші пропозиції VS-8ETH03S-M3 за ціною від 72.37 грн до 72.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8ETH03S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
VS-8ETH03S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |