![VS-8ETH03-M3 VS-8ETH03-M3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO220AC-40.jpg)
VS-8ETH03-M3 VISHAY
![vs-8eth03-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - VS-8ETH03-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 7761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 43.94 грн |
22+ | 36.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETH03-M3 VISHAY
Description: VISHAY - VS-8ETH03-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 8 A, Einfach, 1.25 V, 35 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.25V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-8ETH03-M3 за ціною від 27.36 грн до 64.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8ETH03-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 7765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
VS-8ETH03-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 300 V |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
VS-8ETH03-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
VS-8ETH03-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; Ir: 200uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.83V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
VS-8ETH03-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 300V; 8A; tube; Ifsm: 100A; TO220AC; Ir: 200uA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 300V Load current: 8A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 0.83V Max. forward impulse current: 100A Leakage current: 0.2mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
товар відсутній |