VS-5EWH06FN-M3

VS-5EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-5ewh06fn-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.28 грн
75+ 47.67 грн
150+ 34.6 грн
525+ 27.13 грн
1050+ 23.09 грн
2025+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-5EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: VISHAY - VS-5EWH06FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.85 V, 25 ns, 70 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252AA, Durchlassstoßstrom: 70A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.85V, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: VS-5E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції VS-5EWH06FN-M3 за ціною від 24.48 грн до 70.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-5EWH06FN-M3 VS-5EWH06FN-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-5ewh06fn-m3.pdf Rectifiers 5A 600V 18ns Hyperfast
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.27 грн
10+ 52.24 грн
100+ 33.01 грн
500+ 27.65 грн
1000+ 24.76 грн
6000+ 24.48 грн
Мінімальне замовлення: 6
VS-5EWH06FN-M3 VS-5EWH06FN-M3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0011931966-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-5EWH06FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.85 V, 25 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252AA
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 25ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: VS-5E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+70.66 грн
15+ 55.79 грн
100+ 37.03 грн
500+ 28.8 грн
1000+ 25.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
VS-5EWH06FN-M3 VS-5EWH06FN-M3 Виробник : Vishay vs-5ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
VS-5EWH06FN-M3 VS-5EWH06FN-M3 Виробник : Vishay vs-5ewh06fn-m3.pdf Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній
VS-5EWH06FN-M3 Виробник : VISHAY vs-5ewh06fn-m3.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 3.5pF
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 0.13mA
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
VS-5EWH06FN-M3 Виробник : VISHAY vs-5ewh06fn-m3.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 70A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 5A
Max. load current: 10A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Capacitance: 3.5pF
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.4V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 0.13mA
Kind of package: tube
товар відсутній