VS-4EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 200 V
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.03 грн |
| 75+ | 43.75 грн |
| 150+ | 31.75 грн |
| 525+ | 24.9 грн |
| 1050+ | 21.19 грн |
| 2025+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4EWH02FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-4EWH02FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 4 A, Einfach, 950 mV, 27 ns, 80 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252AA, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 950mV, Sperrverzögerungszeit: 27ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: VS-4E, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-4EWH02FN-M3 за ціною від 19.1 грн до 64.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-4EWH02FN-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 4A 200V Hyperfast 23ns FRED Pt |
на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-4EWH02FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-4EWH02FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 4 A, Einfach, 950 mV, 27 ns, 80 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 27ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: VS-4E productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-4EWH02FN-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 200V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| VS-4EWH02FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; DPAK Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| VS-4EWH02FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 4A; DPAK Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: DPAK |
товар відсутній |