![VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2644/MFG_SMPC%28TO-277A%29_Top.jpg)
VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-4esh01-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.71 грн |
10+ | 33.1 грн |
100+ | 23.03 грн |
500+ | 16.88 грн |
1000+ | 13.72 грн |
2000+ | 12.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V.
Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/87A за ціною від 12.34 грн до 78.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-4ESH01-M3/87A | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 32400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
VS-4ESH01-M3/87A | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 94 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-4ESH01-M3/87A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 4A; SMPC Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMPC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
VS-4ESH01-M3/87A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
VS-4ESH01-M3/87A | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 4A; SMPC Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: SMPC |
товар відсутній |