VS-3EJH02-M3/6B Vishay Semiconductors
на замовлення 25461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.96 грн |
12+ | 27.91 грн |
100+ | 18.18 грн |
500+ | 14.2 грн |
1000+ | 10.34 грн |
2500+ | 10.07 грн |
14000+ | 9.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3EJH02-M3/6B Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-3EJH02-M3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-221AC, Durchlassstoßstrom: 85A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: FRED Pt® SlimSMA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції VS-3EJH02-M3/6B за ціною від 9.88 грн до 41.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-3EJH02-M3/6B | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3EJH02-M3/6B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 930 mV, 30 ns, 85 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-221AC Durchlassstoßstrom: 85A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: FRED Pt® SlimSMA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 42618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-3EJH02-M3/6B | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 26ns; DO221AC; Ufmax: 0.78V; Ir: 8uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 26ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 13pF Case: DO221AC Max. forward voltage: 0.78V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 8µA Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-3EJH02-M3/6B | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-3EJH02-M3/6B | Виробник : Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-3EJH02-M3/6B | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 3A; 26ns; DO221AC; Ufmax: 0.78V; Ir: 8uA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 3A Reverse recovery time: 26ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 13pF Case: DO221AC Max. forward voltage: 0.78V Max. forward impulse current: 85A Leakage current: 8µA Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |