VS-3EGU06WHM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-214AA (SMB)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.42 грн |
| 11+ | 26.79 грн |
| 100+ | 18.63 грн |
| 500+ | 13.65 грн |
| 1000+ | 11.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3EGU06WHM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMB), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-3EGU06WHM3/5BT за ціною від 9.97 грн до 35.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3EGU06WHM3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers fred 600V 3A - SMB |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| VS-3EGU06WHM3/5BT | Виробник : VISHAY |
VS-3EGU06WHM3/5BT SMD universal diodes |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
VS-3EGU06WHM3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AA (SMB) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |