Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-3C12ET07S2L-M3
VS-3C12ET07S2L-M3

VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c12et07s2l-m.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+294.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C12ET07S2L-M3 за ціною від 186.77 грн до 456.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c12et07s2l-m.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+448.81 грн
10+ 371.87 грн
100+ 262.04 грн
250+ 246.71 грн
500+ 232.77 грн
800+ 199.32 грн
2400+ 186.77 грн
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.85 грн
10+ 394.92 грн
100+ 323.55 грн
VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay vs-3c12et07s2l-m.pdf Silicon Carbide diode - D2-PAK
товар відсутній
VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : VISHAY vs-3c12et07s2l-m.pdf VS-3C12ET07S2L-M3 SMD Schottky diodes
товар відсутній