![VS-3C08EV07T-M3/I VS-3C08EV07T-M3/I](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5792/112%7ESLIMDPAK%7E%7E2.jpg)
VS-3C08EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-3c08ev07t-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SIC-G3-SLIMDPAK 2L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.33 грн |
10+ | 173.3 грн |
100+ | 140.19 грн |
500+ | 116.95 грн |
1000+ | 100.14 грн |
2000+ | 94.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C08EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: SIC-G3-SLIMDPAK 2L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C08EV07T-M3/I за ціною від 95.94 грн до 217.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-3C08EV07T-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-3C08EV07T-M3/I | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
VS-3C08EV07T-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 340pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 650 V |
товар відсутній |