VS-30ETU12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-30etu12-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.68 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 145 µA @ 1200 V
на замовлення 7806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.44 грн |
50+ | 103.24 грн |
100+ | 84.94 грн |
500+ | 67.45 грн |
1000+ | 57.23 грн |
2000+ | 54.37 грн |
5000+ | 51.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-30ETU12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 220 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.68 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 145 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-30ETU12-M3 за ціною від 54.85 грн до 146.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
VS-30ETU12-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-30ETU12-M3 Код товару: 183410 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
VS-30ETU12-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
VS-30ETU12-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |