![VS-30EPF12-M3 VS-30EPF12-M3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/112_TO-247-2.jpg)
VS-30EPF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-30pf0-m3series.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247AC Modified
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 373.01 грн |
10+ | 301.55 грн |
100+ | 243.93 грн |
500+ | 203.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-30EPF12-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GP 1.2KV 30A TO247AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-247AC Modified, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.41 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-30EPF12-M3 за ціною від 168.94 грн до 395 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-30EPF12-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-30EPF12-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
VS-30EPF12-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 350A; Ufmax: 1.41V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Reverse recovery time: 95ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward voltage: 1.41V Case: TO247AC Modified Kind of package: tube Max. forward impulse current: 350A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
VS-30EPF12-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 30A; tube; Ifsm: 350A; Ufmax: 1.41V Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 30A Reverse recovery time: 95ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Max. forward voltage: 1.41V Case: TO247AC Modified Kind of package: tube Max. forward impulse current: 350A |
товар відсутній |