VS-2EGH02-M3/5BT VISHAY
![vs-2egh02-m3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; SMB
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EGH02-M3/5BT VISHAY
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 23 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-2EGH02-M3/5BT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-2EGH02-M3/5BT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 23 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-214AA (SMBJ) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товар відсутній |
|
VS-2EGH02-M3/5BT | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
||
VS-2EGH02-M3/5BT | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; SMB Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: SMB |
товар відсутній |