VS-2EFU06-M3/I Vishay Semiconductors
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.57 грн |
| 13+ | 25.22 грн |
| 100+ | 14.13 грн |
| 1000+ | 7.66 грн |
| 2500+ | 6.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFU06-M3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-2EFU06-M3/I за ціною від 42.8 грн до 111 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-2EFU06-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
на замовлення 9230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-2EFU06-M3/I | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 2A 55ns 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
VS-2EFU06-M3/I | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode Switching 600V 2A 55ns 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-2EFU06-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 2A; SMF Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: SMF кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
VS-2EFU06-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 55 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 100°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| VS-2EFU06-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 2A; SMF Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Case: SMF |
товар відсутній |