![VS-2EFH01HM3/I VS-2EFH01HM3/I](https://media.digikey.com/Renders/Vishay%20Semi%20Renders/DO-219AB.jpg)
VS-2EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![vs-2efh01hm3.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 16 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: DO-219AB (SMF)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 8.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-2EFH01HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 16 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-2EFH01HM3/I за ціною від 6.27 грн до 30.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-2EFH01HM3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 13569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-2EFH01HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 16 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-2EFH01HM3/I | Виробник : VISHAY |
![]() |
товар відсутній |