![VS-20ETS08-M3 VS-20ETS08-M3](https://download.siliconexpert.com/pdfs2/2019/5/14/8/41/26/51699/vsh_/manual/vs-15tq060-m3.jpg)
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETS08-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-20ETS08-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 20 A, Einfach, 1.1 V, 300 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-20ETS08-M3 за ціною від 63.07 грн до 194.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-20ETS08-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 300A Leakage current: 1mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
VS-20ETS08-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 800 V |
на замовлення 7999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-20ETS08-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 6955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-20ETS08-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 20A; tube; Ifsm: 300A; TO220AC; Ir: 1mA Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 300A Leakage current: 1mA Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 396 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-20ETS08-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 4619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
VS-20ETS08-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 241 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|