![VS-20ETF12THM3 VS-20ETF12THM3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE2TO22022-40.jpg)
VS-20ETF12THM3 VISHAY
![2721078.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - VS-20ETF12THM3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 270 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 270A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.31V
Sperrverzögerungszeit: 400ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 221.49 грн |
10+ | 174.7 грн |
100+ | 142.72 грн |
500+ | 112.25 грн |
1000+ | 98.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-20ETF12THM3 VISHAY
Description: VISHAY - VS-20ETF12THM3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 20 A, Einfach, 1.31 V, 400 ns, 270 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Durchlassstoßstrom: 270A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 1.31V, Sperrverzögerungszeit: 400ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції VS-20ETF12THM3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-20ETF12THM3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||
VS-20ETF12THM3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 400ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.31V Reverse recovery time: 400ns Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
VS-20ETF12THM3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.31 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
||
![]() |
VS-20ETF12THM3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |
|
VS-20ETF12THM3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 20A; tube; Ifsm: 320A; TO220AC; 400ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 320A Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.31V Reverse recovery time: 400ns Application: automotive industry |
товар відсутній |